Hoe worden LED-chips gemaakt?
Wat is een LED-chip? Dus wat zijn de kenmerken ervan? LED-chipproductie is voornamelijk bedoeld om effectieve en betrouwbare laagohmige contactelektroden te produceren en kan de relatief kleine spanningsval tussen contactbare materialen opvangen en drukkussens bieden voor het verlijmen van draden. Haal zoveel mogelijk licht eruit. Het filmkruisingsproces maakt over het algemeen gebruik van de vacuümverdampingsmethode. Onder het hoge vacuüm van 4Pa wordt het materiaal gesmolten door weerstandsverwarming of elektronenbundelbombardementverwarming en de BZX79C18 wordt metaaldamp en wordt onder lage druk op het oppervlak van het halfgeleidermateriaal afgezet.
De meest gebruikte P-type contactmetalen omvatten legeringen zoals AuBe en AuZn, en de N-side contactmetalen gebruiken vaak AuGeNi-legeringen. De legeringslaag die na de coating wordt gevormd, moet ook zoveel mogelijk lichtuitstralend gebied blootleggen door het fotolithografieproces, zodat de resterende legeringslaag kan voldoen aan de vereisten van effectieve en betrouwbare laagohmige contactelektroden en binddraadpads. Nadat het fotolithografieproces is voltooid, is een legeringsproces vereist en wordt de legering meestal uitgevoerd onder de bescherming van H2 of N2. De tijd en temperatuur van legering worden meestal bepaald door factoren zoals de kenmerken van het halfgeleidermateriaal en de vorm van de legeringsoven. Natuurlijk, als het chipelektrodeproces zoals blauw en groen gecompliceerder is, is het noodzakelijk om de groei van passiveringsfilm, plasma-etsproces, enz. Te verhogen.
Welke processen hebben in het productieproces van LED-chips een belangrijkere invloed op de opto-elektronische eigenschappen?
Over het algemeen zijn, nadat de LED-epitaxyproductie is voltooid, de belangrijkste elektrische eigenschappen voltooid en zal de chipproductie de aard van de kern niet veranderen, maar ongepaste omstandigheden tijdens het coating- en legeringsproces zullen ervoor zorgen dat sommige elektrische parameters slecht zijn. Als de legeringstemperatuur bijvoorbeeld te laag of te hoog is, zal dit slecht ohms contact veroorzaken. Slecht ohms contact is de belangrijkste reden voor de hoge voorwaartse spanningsval VF in de chipproductie. Na het snijden, als een etsproces wordt uitgevoerd op de rand van de chip, zal dit helpen om de omgekeerde lekkage van de chip te verbeteren. Dit komt omdat er na het snijden met een diamantslijpschijfblad meer vuil en poeder achterblijft op de rand van de chip. Als deze aan de PN-aansluiting van de LED-chip blijven plakken, zal dit lekkage en zelfs storing veroorzaken. Bovendien, als de fotoresist op het oppervlak van de chip niet schoon wordt afgepeld, zal dit problemen veroorzaken bij het verlijmen van de draad aan de voorkant en virtueel lassen. Als het de achterkant is, zal het ook een hoogspanningsval veroorzaken. In het chipproductieproces kan de lichtintensiteit worden verbeterd door het oppervlak op te ruwen en te verdelen in een omgekeerde trapeziumstructuur.
Waarom zijn LED-chips verdeeld in verschillende maten? Wat zijn de effecten van grootte op de foto-elektrische prestaties van LED's?
De grootte van LED-chips kan worden onderverdeeld in chips met een laag vermogen, chips met een gemiddeld vermogen en chips met een hoog vermogen, afhankelijk van het vermogen. Afhankelijk van de eisen van de klant kan het worden onderverdeeld in enkelbuisniveau, digitaal niveau, dot matrixniveau en decoratieve verlichting en andere categorieën. Wat betreft de specifieke grootte van de chip, deze hangt af van het werkelijke productieniveau van verschillende chipfabrikanten en er zijn geen specifieke vereisten. Zolang het proces is doorlopen, kan de kleine chip de output van de eenheid verhogen en de kosten verlagen, en de opto-elektronische prestaties zullen niet fundamenteel veranderen. De stroom die door de chip wordt gebruikt, is eigenlijk gerelateerd aan de stroomdichtheid die door de chip stroomt. De kleine chip gebruikt een kleine stroom en de grote chip gebruikt een grote stroom. Hun eenheidsdichtheden zijn in principe hetzelfde. Aangezien warmteafvoer het grootste probleem is onder hoge stroom, is de lichtopbrengst lager dan die van kleine stroom. Aan de andere kant, naarmate het gebied toeneemt, zal de bulkweerstand van de chip afnemen, dus de voorwaartse spanning zal afnemen.
LED high-power chips verwijzen over het algemeen naar welk gebied van chips? Waarom?
De LED high-power chips die worden gebruikt voor wit licht zijn over het algemeen ongeveer 40mil in de markt. Het vermogen dat wordt gebruikt door de zogenaamde high-power chips verwijst over het algemeen naar het elektrisch vermogen van meer dan 1W. Omdat de kwantumefficiëntie over het algemeen minder dan 20% is, zal het grootste deel van de elektrische energie worden omgezet in warmte-energie, dus de warmteafvoer van krachtige chips is erg belangrijk en de chip moet een groter oppervlak hebben.
Wat zijn de verschillende vereisten van chiptechnologie en verwerkingsapparatuur voor de productie van GaN-epitaxiale materialen in vergelijking met GaP, GaAs, InGaAlP? Waarom?
De substraten van gewone LED rood-gele chips en quaternaire rood-gele chips met hoge helderheid zijn gemaakt van samengestelde halfgeleidermaterialen zoals GaP en GaAs, die over het algemeen kunnen worden gemaakt tot N-type substraten. Het natte proces wordt gebruikt voor fotolithografie en vervolgens worden de chips met een emery-wielblad in chips gesneden. De blauwgroene chip van GaN-materiaal maakt gebruik van een saffiersubstraat. Omdat het saffiersubstraat isolerend is, kan het niet worden gebruikt als een paal van de LED. Het is noodzakelijk om twee P / N-elektroden op het epitaxiale oppervlak te maken door het droge etsproces tegelijkertijd. Ook door een passiveringsproces. Omdat saffier zo hard is, is het moeilijk om te chippen met een diamantwielblad. Het proces is over het algemeen steeds ingewikkelder dan LED's gemaakt van GaP- en GaAs-materialen.
Wat is de structuur van de "transparante elektrode" chip en zijn kenmerken?
De zogenaamde transparante elektrode moet elektriciteit kunnen geleiden, en de tweede is om licht te kunnen doorlaten. Dit materiaal wordt nu op grotere schaal gebruikt in het productieproces van vloeibare kristallen, de naam is indiumtinoxide, de Engelse afkorting ITO, maar het kan niet als pad worden gebruikt. Maak bij het maken eerst ohmse elektroden op het oppervlak van de chip, bedek vervolgens het oppervlak met een laag ITO en leg vervolgens een laag pads op het oppervlak van de ITO. Op deze manier wordt de stroom van het lood gelijkmatig verdeeld over elke ohmse contactelektrode door de ITO-laag. Tegelijkertijd, omdat de brekingsindex van ITO tussen de brekingsindex van lucht en het epitaxiale materiaal ligt, kan de lichtopbrengsthoek worden verhoogd en kan de lichtstroom ook worden verhoogd.
Wat is de hoofdstroom van de ontwikkeling van chiptechnologie voor halfgeleiderverlichting?
Met de ontwikkeling van halfgeleider-LED-technologie nemen ook de toepassingen ervan op het gebied van verlichting toe, met name de opkomst van witte LED's, die een hotspot zijn geworden in halfgeleiderverlichting. De belangrijkste chips en verpakkingstechnieken moeten echter nog worden verbeterd en de chips moeten worden ontwikkeld in de richting van een hoog vermogen, een hoge lichtefficiëntie en een verminderde thermische weerstand. Het verhogen van het vermogen betekent dat de stroom die door de chip wordt gebruikt toeneemt. De meer directe manier is om de grootte van de chip te vergroten. Nu zijn de gebruikelijke krachtige chips ongeveer 1 mm × 1 mm, en de gebruikte stroom is 350 mA. Door de toename van de stroom is het probleem van warmteafvoer geworden Het openstaande probleem wordt nu in principe opgelost door de methode van flip-chip. Met de ontwikkeling van LED-technologie zal de toepassing ervan op het gebied van verlichting voor ongekende kansen en uitdagingen komen te staan.
Wat is een "flip chip? Hoe zit het in elkaar? Wat zijn de voordelen?
Blauwe LED's gebruiken meestal Al2O3 substraten. Al2O3 substraten hebben een hoge hardheid en lage thermische geleidbaarheid en elektrische geleidbaarheid. Als een positieve structuur wordt gebruikt, zal dit aan de ene kant antistatische problemen met zich meebrengen. belangrijkere kwestie. Tegelijkertijd, omdat de voorste elektrode naar boven is gericht, wordt een deel van het licht geblokkeerd en wordt de lichtefficiëntie verminderd. Krachtige blauwe LED's kunnen een effectievere lichtopbrengst krijgen door middel van flip-chip-technologie dan traditionele verpakkingstechnologie.
De huidige mainstream flip-chip structuurmethode is om eerst een grote blauwe LED-chip met elektroden te bereiden die geschikt zijn voor eutectisch lassen, en tegelijkertijd een siliciumsubstraat te bereiden dat iets groter is dan dat van de blauwe LED-chip, en goud te fabriceren voor eutectisch lassen erop. Geleidende laag en looddraadlaag (ultrasoon gouddraadbalbindingspunt). Vervolgens worden de krachtige blauwe LED-chip en het siliciumsubstraat aan elkaar gelast met behulp van eutectische lasapparatuur.
Het kenmerk van deze structuur is dat de epitaxiale laag in direct contact staat met het siliciumsubstraat en de thermische weerstand van het siliciumsubstraat veel lager is dan die van het saffiersubstraat, dus het probleem van warmteafvoer is goed opgelost. Omdat het saffiersubstraat na flip-chippen naar boven is gericht, wordt het het lichtuitstralende oppervlak en is de saffier transparant, dus het probleem van lichtuitstralen is ook opgelost. Bovenstaande is de relevante kennis van LED-technologie. Ik geloof dat met de ontwikkeling van wetenschap en technologie de toekomstige LED-lampen steeds efficiënter zullen worden en de levensduur aanzienlijk zal worden verbeterd, wat ons meer gemak zal brengen.
Benwei Lighting is een LED Tube, LED flood light, LED Panel Light, LED High Bay, LED fabrikant met 12 jaar ervaring. Als u een hoogwaardige LED-schijnwerper wilt kopen of een meer diepgaand inzicht wilt hebben in de toepassing van LED-schijnwerpers, neem dan contact op met ons vragen, ons web:
https://www.benweilight.com/.
